MCV-530L 全自动汞探针CV测试系统
(AUTOMATIC MERCURY PROBE SYSTEM)

产品描述

MCV530(L)全自动汞探针系统是带扫描测试功能的高频电容-电压测试分析系统,它兼容3寸, 4寸, 5寸, 6寸, 8寸和12寸硅片。与传统的汞探针系统采用硅片正面朝下、真空吸附测试方式不同,MCV530(L)汞探针系统采用独特的汞探针设计,测试时硅片样品正面朝上,避免了传统设备玷污和破坏样品、无法进行多点扫描测试的缺点。同时MCV530(L)采用高精度的调压设备来精确控制汞柱和硅材料接触面积。该方法是测试硅外延层的电学参数及Low-K材料的介电常数等的有效方法。




MCV530(L)有两种测量模式:肖特基和MOS。肖特基测量模式是测量硅外延层载流子浓度的有效方法,其重复性小于1.5%(3σ)。该模式也是测量复合半导体材料(如:SiC, GaN, InP, GaP)载流子浓度的有效手段。MOS模式采用汞柱来形成MOS电容结构,节省了制作MOS样品的复杂流程,所以能够快速监控介电常数、离子注入参数、氧化层电荷、载流子产生寿命和氧化层的可靠性。MOS模式可测最薄氧化层厚度为35埃。

产品特点

样品正面向上,非损伤测试
系统内汞含量极少,汞保护措施完善
汞接触面积稳定,重复性优秀
工业化设计,符合SEMI各项标准
应用面广,适合半导体、液晶等不同行业
行业标准设备,市占率90%以上

主要应用

硅及化合物半导体外延电阻率监控
CVD工艺监控
扩散工艺监控

主要技术指标

偏压范围:        ±250V
击穿电压范围:    ±1100V
电流范围:        10fA to 100mA
汞接触面积重复性:  < 0.15%

技术关键词

CV MCV

应用关键词

外延层监控 离子注入 介质层质量表征


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