IRB-55 硅锭红外探伤仪
(Infrared Silicon Imaging System)

产品描述

IRB 红外晶锭探伤仪可以探测到硅锭内部的微小裂缝、微晶、杂质等缺陷。可以确定内部缺陷的具体位置。它用于多晶硅片生产中的硅块的裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶等缺陷检测。主要由红外光源,旋转台,成像系统构成。通常都是在硅块清洗处理后线切割前进行红外探伤,这样不仅可以减少线痕片,而且可以减少SiC硬质点断线,大大提高效益



红外光直接入射到硅锭。根据穿过缺陷和纯硅的发射及散射信号的不同,可以来计算缺陷的位置
红外线光源和信号接收相机处于同一水平线上,此时可以得到水平方向的线状图像;当相机和红外光源垂直移动时拍下的这些线状图像将组合起来得到硅锭一个面的二维图像。红外光源的卤素灯的功率是1000w。红外滤波器过滤掉可见光波段,当红外光源照射硅锭,红外相机接收到发射信号,通过软件计算得到照片。从照片中即可看见硅锭在机械锻压力下导致的微裂纹。这种压力来自于非均匀温度分布和杂质体不同的热膨胀系数。

产品特点

采用高分率的线扫描相机
高速全自动测试
缺陷自动判断、标定
自动探针定位及对齐
适用于抛光及非抛光硅锭
可按照大锭分块储存测试结果,便于分析查找

主要应用

硅锭内部杂质、孔洞、裂纹、 微晶探测
切片前必检项目,预防断线、保证切割质量
铸锭炉热场设计辅助分析
铸锭原料纯度及杂质含量辅助分析
铸锭炉铸锭工艺调整分析

主要技术指标

最大硅锭尺寸:        400* 210* 210 mm
硅锭类型:            抛光非抛光均可
测试速度:            单面5秒,四面30秒
切除位置精度:        100um
相机分辨率:          每个像素点大于100um

技术关键词

应用关键词



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